บาร์ที่ไม่ได้ต่อเชื่อมชิปเลเซอร์ 300mW 500mW 976nm

วัสดุใช้งานของแท่งเลเซอร์ที่ไม่ได้ต่อเชื่อมชิปเลเซอร์ 300mW 500mW 976nm เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งก่อตัวเป็นรอยต่อ P-N โดยการรวมเซมิคอนดักเตอร์ประเภท P- และวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ประเภท N- การผกผันของจำนวนอนุภาคสามารถทำได้ผ่านกระแสไปข้างหน้า และภายใต้ข้อจำกัดทางเทคนิคของวัสดุสะท้อนแสง การขยายแสงรังสีที่ถูกกระตุ้นก็สามารถทำได้ กระบวนการนี้เกี่ยวข้องกับการกระตุ้นทางไฟฟ้าในฐานะแหล่งกำเนิดปั๊ม วัสดุเซมิคอนดักเตอร์เป็นตัวกลางที่ได้รับ ผ่านการขยายการเลือกโหมดเรโซแนนซ์คาวิตี้ จากนั้นจึงส่งสัญญาณเลเซอร์ออกมาเพื่อทำการแปลงโฟโตอิเล็กทริคให้เสร็จสิ้น