ชิปเลเซอร์อิมิตเตอร์เดี่ยว 1W 1064nm
ชิปเลเซอร์ Emitter เดี่ยว 1W 1064nm ใช้การออกแบบโครงสร้าง epitaxial และ epitaxy ของวัสดุใหม่ เทคโนโลยีการออกแบบและเตรียมหน้าต่างแบบไม่ใช้ปั๊มขั้นสูง การกัดกร่อนแบบแห้งและเปียกรวมกับเทคโนโลยีการจัดตำแหน่งด้วยตนเอง ควบคุมความสม่ำเสมอของแถบความกว้าง โดยเฉพาะอย่างยิ่งเพื่อให้ผลผลิตสูงภายใต้มวล การผลิตลดต้นทุนชิปเลเซอร์
ลักษณะเฉพาะ:
ความกว้างสเปกตรัม 6 นาโนเมตร ความกว้างอิมิตเตอร์ 190um
0ประสิทธิภาพความชัน 5W/A ประสิทธิภาพการแปลง 58 เปอร์เซ็นต์
การออกแบบโครงสร้าง epitaxial ที่เหมาะสมที่สุด
เทคโนโลยีเฉพาะเพื่อความน่าเชื่อถือและอายุการใช้งานสูงสุด
แอปพลิเคชัน:
แหล่งสูบน้ำด้วยไฟเบอร์เลเซอร์
แหล่งสูบน้ำด้วยเลเซอร์แบบโซลด์สเตต
เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์โดยตรง
แผ่นข้อมูล:
หมายเลขสินค้า: LC1064SE1
| ออปติคัล | ประเภท |
| ความยาวคลื่นกลาง | 1064nm |
| กำลังขับ | 1W |
| ความกว้างสเปกตรัม | 6 นาโนเมตร |
| ความกว้างของอิมิตเตอร์ | 190um |
| ความกว้างของชิป | 500um |
| ความยาวของช่อง | 4000um |
| ความหนา | 150um |
| ไฟฟ้า | |
| Iop ปัจจุบันปฏิบัติการ | 13A |
| เกณฑ์ปัจจุบัน Ith | 0.8A |
| แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน Vop | 2V |
| ความร้อน | |
| อุณหภูมิทดสอบ | 25 องศา |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความยาวคลื่น | 0.35nm/ องศา |
เส้นโค้งสเปกตรัม
ป้ายกำกับยอดนิยม: ซัพพลายเออร์ชิปเลเซอร์อีซีแอลเดี่ยว 1w 1064nm ผู้ผลิตจีน โรงงาน ขายส่ง ทำในประเทศจีน