ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงเป็นรากฐานที่สำคัญของห่วงโซ่อุตสาหกรรมการประมวลผลด้วยเลเซอร์และแหล่งที่มาคือการตระหนักว่าระบบเลเซอร์มีขนาดเล็กน้ำหนักและกำลังเป็นสิ่งที่จำเป็นและรับประกันได้ว่าจะให้ผลผลิตที่มีเสถียรภาพสามารถใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตขั้นสูง , การทำผมทางการแพทย์, การบินและอวกาศ, ความปลอดภัยและสาขาอื่น ๆ ยุโรปและสหรัฐอเมริกาและประเทศที่พัฒนาแล้วอื่น ๆ ในด้านพลังงานสูงประสิทธิภาพสูงของการวิจัยชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ในระดับชั้นนำเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูงในประเทศที่ใช้งานได้จริงในปัจจุบันหลอดเดียวมีค่ามากกว่า 5 วัตต์บทความเดียวเกือบทั้งหมดพึ่งพาการนำเข้า มากกว่า 40 วัตต์ จำกัด การพัฒนาอุตสาหกรรมเทคโนโลยีเลเซอร์ในประเทศจีนอย่างจริงจัง
เครื่องจักรโดยผู้เชี่ยวชาญเฉพาะหนึ่งพันโปรแกรม guo-wen Yang xian machine โดยนักวิจัยใช้ xi'&ห้าปี quot; 135" โครงการติดตั้งอิสระ" การวิจัยชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงประสิทธิภาพสูง" หลังจากการวิจัยทางเทคนิคหนึ่งปีความก้าวหน้าที่สำคัญได้เกิดขึ้น ความก้าวหน้าครั้งแรกในการออกแบบชิปที่มีประสิทธิภาพสูงพลังงานสูงความเครียดต่ำวัสดุที่มีข้อบกพร่องต่ำและเทคโนโลยีการเตรียมความเสียหายเกณฑ์ความเสียหายสูงของการประมวลผลพื้นผิวของช่องเลเซอร์เทคโนโลยีที่สำคัญของ FMA เช่นการวิเคราะห์กลไกความล้มเหลว ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ระดับไฮเอนด์สี่ตัวได้รับการพัฒนาอย่างอิสระ ในบทความนี้ประสิทธิภาพการแปลงแสงไฟฟ้าของชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ 100 วัตต์นั้นดีที่สุดในโลกซึ่งเกินดัชนีประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่คล้ายคลึงกันระหว่างประเทศ โครงการนี้พัฒนาชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูงและกำลังสูงกว่า 20 ชิ้นเผยแพร่เอกสาร SCI 2 ฉบับและยื่นขอสิทธิบัตร 9 ฉบับ โครงการเพิ่งผ่านการทดสอบการยอมรับขั้นสุดท้าย
GG quot; ประสิทธิภาพสูงผลการวิจัยชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูงทำลายสถานการณ์ของชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ระดับไฮเอนด์ของจีน&# 39 การพึ่งพาการนำเข้าในระยะยาวสำหรับ" ผลิตในประเทศจีน 2025"," อินเทอร์เน็ต +" และประเทศอื่น ๆ ให้การสนับสนุนหลักข้อกำหนดการใช้งานหลัก
ชิปบาร์เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงและประสิทธิภาพสูงที่พัฒนาขึ้นโดยอิสระ