เหตุใดเลเซอร์ไดโอด VCSEL ขนาด 670 นาโนเมตร 2mW จึงให้นิยามใหม่ของประสิทธิภาพของแหล่งกำเนิดแสงในระบบการสร้างต้นแบบและระบบกล้องจุลทรรศน์ขั้นสูง

เลเซอร์เปล่งแสงที่ขอบมาตรฐาน-จะสร้างรูปแบบจุดจุดเชิงพื้นที่ที่รุนแรงซึ่งเกิดจากการเชื่อมโยงกันทางเวลาและเชิงพื้นที่สูง สัญญาณรบกวนแบบจุดจะลดคอนทราสต์ของภาพ ทำให้เกิดความหยาบ และบิดเบือนการนับโฟตอนเชิงปริมาณในการถ่ายภาพเรืองแสง โครงสร้าง VCSEL ขนาด 670 นาโนเมตรสร้างจุดลำแสงสม่ำเสมอมีลักษณะเป็นวงกลมสมมาตรโปรไฟล์ลำแสงสม่ำเสมอ. โดยเสนอกลำแสงสปอตที่เป็นเนื้อเดียวกันและสิ่งที่อยู่ภายในไม่มีจุดโดยให้สัญญาณพื้นหลังที่สะอาดกว่าไดโอดเลเซอร์แบบเดิมอย่างเห็นได้ชัด ในขณะที่ยังคงความสว่างเชิงพื้นที่ไว้สูงกว่า LED มาก

เมื่อเปรียบเทียบกับ LED-ซึ่งปล่อยแสงแบบกระจายในมุม Lambertian ที่กว้าง- รูปแบบการเบี่ยงเบน 22 องศาของ TO670VC0002 ช่วยให้วิศวกรด้านออพติคอลสามารถจัดแนวเอาท์พุตให้เป็นลำแสงที่มีทิศทางแน่นหนาหรือรวมเข้ากับเส้นใยนำแสงได้อย่างง่ายดาย ที่เหนือกว่านี้ความสามารถในการคอลลิเมชันรับประกันการส่งผ่านแสงอย่างมีประสิทธิภาพผ่านเลนส์ใกล้วัตถุและฟิลเตอร์ไดโครอิก ช่วยให้นักพัฒนาทดสอบผลิตภัณฑ์กล้องจุลทรรศน์ใหม่ๆ เพื่อเพิ่มอัตราส่วนสัญญาณ-ต่อ-สัญญาณรบกวนให้สูงสุดโดยไม่ต้องตั้งค่าการวางแนวแสงที่ซับซ้อน

การทำงานที่กระแสไฟไดรฟ์ 12mA และแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า 2.5V โมดูลจะสร้างการกระจายความร้อนเพียงเล็กน้อย ลายเซ็นความร้อนขั้นต่ำนี้ช่วยป้องกันการให้ความร้อนเฉพาะที่ในตัวอย่างทางชีวภาพที่ละเอียดอ่อนหรือช่องไมโครฟลูอิดิก-ปัญหาทั่วไปกับ-อาร์เรย์ LED กระแสสูงหรือ-ส่วนประกอบเลเซอร์ที่เปล่งแสง