2.5Gbps InGaAs/InP APD-TIA ถึง-สามารถ

2.5Gbps InGaAs/InP APD-TIA ถึง-สามารถ

อัตราข้อมูลสูงถึง 2.5Gbps
ส่งคำถาม
คำอธิบาย

 

2.5Gbps InGaAs/InP APD-TIA ถึง-สามารถ

 

โฟโตไดโอดถล่ม (APD) ของ Brandnew พร้อมโหมดถ่ายภาพต่อเนื่อง- TIA บรรจุในเคส TO-46 6 พินพร้อมฝาปิดเลนส์แก้ความคลาดทรงกลม Integrated Transimpedance Amplifier (TIA) ของ APD สามารถทำงานได้ในโหมดถ่ายภาพต่อเนื่องซึ่งจะเพิ่มอัตราข้อมูลอินพุต 2.5 Gb/s ผู้ใช้สามารถควบคุมโหมดถ่ายภาพต่อเนื่องผ่านสัญญาณลอจิกที่เชื่อมต่อกับพิน 5 ของเคส TO-46 ของ APD

ออกแบบมาสำหรับช่วงความยาวคลื่นแสงที่ 900 นาโนเมตรถึง 1640 นาโนเมตร APD พร้อมโหมดระเบิด- TIA มีกระแสมืดที่ 0.4 nA โดยทั่วไปที่แรงดันพังทลาย 98% การตอบสนองโดยทั่วไปคือ 13 A/W ที่ความยาวคลื่น 1310 นาโนเมตร และกำลังอินพุตแบบออปติคัล 5mW

 

คุณสมบัติ
การดำเนินการความยาวคลื่นยาว
อัตราข้อมูลสูงถึง 2.5Gbps
การทำงานด้วยแรงดันไฟฟ้าต่ำ- 3.3V
บรรจุภัณฑ์:TO-46
วงจร AGC ภายใน
เอาท์พุตดิฟเฟอเรนเชียล
ความน่าเชื่อถือที่ดีเยี่ยม ตรงตามข้อกำหนด EU RoHS
ความไวสูง

 

การใช้งาน

XG-ตัวรับ PON OLT


คำอธิบาย
ผลิตภัณฑ์นี้รวม Photodiode PIN และ TIA ความเร็วสูงเข้ากับ AGC

 

125Gbps InGaAsInP Super-TIA TO46

 

เอกสารข้อมูล:

คะแนนสูงสุดที่แน่นอน  
อุณหภูมิในการจัดเก็บ -55-+150 องศา
APD กระแสย้อนกลับ 2mA
อินพุตพลังงานแสง 5มิลลิวัตต์
อุณหภูมิการบัดกรี 260/10 องศา/วินาที
เงื่อนไขการใช้งานที่แนะนำ  
อุณหภูมิในการทำงาน 25 องศา
แรงดันไฟฟ้าขณะทำงาน TIA 3.3V
แรงดันไฟฟ้าปฏิบัติการ APD 3-5.2V
ออปโต – ลักษณะทางไฟฟ้า  
ความยาวคลื่นแสง 900-1650 นาโนเมตร
อุปทานปัจจุบัน 35mA
แรงดันพังทลาย 40-52V
กระแสมืด 0.4-10nA
การตอบสนอง 13A/W
แบนด์วิธ 1.8GHz
ความไว -31.5dBm
ออปติคัลโอเวอร์โหลด -4dBm

 

การวาดภาพ:

 

4

ป้ายกำกับยอดนิยม: 2.5gbps ingaas/inp apd-tia to-can ซัพพลายเออร์ ผู้ผลิตจีน โรงงาน ขายส่ง ผลิตในจีน